Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/96163
Заглавие документа: | Создание и исследование полупроводниковых лазеров с нестандартными волноводами : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель А. А. Афоненко |
Авторы: | Афоненко, А. А. Ушаков, Д. В. Кононенко, В. К. Карих, Е. Д. Стецик, В. М. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2014 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Аннотация: | Объектом исследования являются полупроводниковые лазеры. Целью работы является управление свойствами излучения квантоворазмерных полупроводниковых лазеров (диаграммой направленности, мощностью и динамикой излучения) с помощью использования специальных конструкций волноводов и резонаторов; развитие методов создания волноводов и резонаторов полупроводниковых лазерных диодов, в том числе с вертикальным выводом излучения и узкой диаграммой направленности. Методы исследования: теоретический анализ и компьютерное моделирование. В результате проведенной работы развита динамическая распределенная диффузионно-дрейфовая модель лазерных гетероструктур, учитывающая процессы захвата носителей в квантовые ямы. Проведены расчеты токов утечек в режиме генерации в различных лазерных структурах без широкозонных эмиттеров. Развита модель расчета мощностных характеристик лазерных структур с учетом неоднородного возбуждение квантовых ям, процессов рекомбинации в барьерных областях и эффектов нелинейного усиления. Показано, что для структур Ga 0.8 In 0.2 As/GaAs/InGaP в широком диапазоне токов инжекции оптимальное количество квантовых ям составляет 5±1. Неоднородность возбуждения квантовых ям растет с увеличением тока инжекции и приводит к снижению мощности генерации по сравнению с однородным возбуждением. Разработана модель для расчета пространственного распределения и времени затухания электромагнитных мод в лазерных структурах с диэлектрической или металлической дифракционной решеткой, расположенной параллельно активному слою. Выполнен самосогласованный расчет эффективности вертикального вывода излучения с учетом обратного рассеяния и взаимодействия рассеянных волн с модами подложки. Полученные результаты могут быть использованы при разработке полупроводниковых лазерных излучателей большой мощности и узкой диаграммой направленности. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/96163 |
Регистрационный номер: | № госрегистрации 20122472 |
Располагается в коллекциях: | Отчеты 2014 |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Отчет 20122472 Афоненко.pdf | 649,28 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.