Моделирование полевых КНИ-нанотранзисторов : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель В. М. Борздов

Abstract

Объектом исследования являются глубоко субмикронные МОП-транзисторы на основе структуры кремний-на-изоляторе (КНИ). Предметом исследования являются электронные процессы, протекающие в такого рода транзисторах в условиях квантования энергии носителей заряда. Цель работы — разработать модели, алгоритмы и программные средства для моделирования методом Монте-Карло электронного переноса в КНИ-МОП-транзисторах с очень малой длиной и толщиной канала. Методы исследований — кинетическое моделирование электронного переноса в канале МОП-транзисторов методом Монте-Карло. В результате исследований разработаны физико-математические модели, алгоритмы и программы численного моделирования МОП-транзисторов на основе КНИ-структуры с малой длиной и толщиной канала, учитывающие квантование энергии электронов в проводящем канале. С их помощью рассчитаны значения подвижности и средней энергии электронов в проводящем канале КНИ-МОП-транзисторов, а также зависимости тока стока и туннельного тока в данных транзисторах с различной длиной и толщиной канала, а также толщиной подзатворного окисла.