Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/89051
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorНаливайко, О. Ю.-
dc.contributor.authorТурцевич, А. С.-
dc.contributor.authorЧиж, К. В.-
dc.contributor.authorРезник, В. Я.-
dc.contributor.authorЮрьев, В. А.-
dc.contributor.authorНовиков, А.-
dc.contributor.authorГайдук, П. И.-
dc.date.accessioned2014-01-20T07:18:49Z-
dc.date.available2014-01-20T07:18:49Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.citationКвантовая электроника: Материалы IX Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–21 нояб. 2013 г. – Минск, 2013. - С. 71.ru
dc.identifier.isbn978-985-553-157-0-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/89051-
dc.language.isoruru
dc.publisherМинск: Изд. центр БГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехникаru
dc.titleМорфология и электрофизические свойства структур PtSi/Si, сформированных на аморфном кремнииru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2013. Квантовая электроника

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
71.pdf560,1 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.