Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/7681| Заглавие документа: | Структурные изменения в легированных мышьяком слоях SiGe сплавов при термическом отжиге |
| Авторы: | Яцко, К. В. Колтович, Д. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2006 |
| Издатель: | БГУ |
| Аннотация: | Поиск альтернативных материалов, совместимых с Si-технологией, исследование их свойств, а также разработка приборных структур на их основе, являются приоритетными направлениями материаловедения и полупроводниковой электроники. В частности, тенденции развития микроэлектроники предполагают широкое использование метастабильных структур – высоколегированных и пересыщенных слоёв SiGe сплавов. Высоколегированные слои имеют важное значение для создания исток- стоковых областей в МОП технологии и эмиттеров – в биполярной. В связи с этим, система SiGe + As является перспективной для формирования приборов микроэлектроники. |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/7681 |
| Располагается в коллекциях: | Статьи |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| nirs2006_63(1)(1)(28).pdf | 2,52 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.