Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/7629
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorKononenko, V. K.-
dc.contributor.authorManak, I. S.-
dc.contributor.authorUshakov, D. V.-
dc.date.accessioned2012-04-27T11:31:55Z-
dc.date.available2012-04-27T11:31:55Z-
dc.date.issued1998-
dc.identifier.citationProc. SPIE. -1998. - Vol. 3580. - P. 10-27-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/7629-
dc.description.abstractOptical and electric properties of doping superlattices, or n-i-p-i crystals, can be varied in a wide range under excitation and through the choice of the thicknesses and doping of the crystal layers. Some basic results concerned the transformation of the electron energy spectrum of doping superlattices are summarized. Parameters and characteristics of doping superlattices related to optoelectronics devices, such as photodetectors, laser diodes, and optical modulators, are presented.ru
dc.language.isoenru
dc.publisherSPIEru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехникаru
dc.titleOptoelectronic properties and characteristics of doping superlatticesru
dc.typeconference paperen
Располагается в коллекциях:Кафедра квантовой радиофизики и оптоэлектроники. Статьи

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
1998Optoelectronic properties and characteristics of doping superlattices.pdf1,29 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.