Расчет интенсивностей рассеяния носителей заряда при моделировании полупроводниковых приборных структур микро- и наноэлектроники

Abstract

Известно, что современные технологические методы микро- и наноэлектроники позволяют создавать полупроводниковые приборные структуры, работа которых уже во многом определяется размерными квантовыми эффектами. Благодаря этому становится возможной разработка принципиально новых высокоскоростных и энергоэкономичных приборов. При этом важнейшим направлением исследования данного рода структур с точки зрения приборных приложений является изучение особенностей процесса электропереноса в них и его численное моделирование. Одним из наиболее перспективных методов в этом отношении является метод Монте-Карло. Однако, корректное применение последнего возможно лишь тогда, когда известны строгие выражения для интенсивностей рассеяния носителей заряда для основных механизмов.