Электронная библиотека БГУ: Search

Issue Date Author Title Subject

Search

Search:
for

Current filters:

Start a new search

Add filters:

Results/Page | Sort items by In order Authors/record

Results 1-10 of 15 (Search time: 0.0 seconds).

previous
1
2
next

Item hits:

Preview	Issue Date	Title	Author(s)
	2016	Электрические потери в гетероструктурах Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергиями 5 МэВ	Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Во Куанг, Нья; Меркулов, В. А.; Кирикович, М. К.; Скуратов, В. А.; Kukharchyk, N.; Becker, H.-W.; Wieck, A.
	2017	Электрическая емкость структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенона с энергиями 166 МэВ	Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Кирилкин, Н. С.; Кирикович, М. К.; Wieck, A.
	2012	ОБРАЗОВАНИЕ СПЛОШНОГО РАДИАЦИОННО-НАРУШЕНННОГО СЛОЯ В КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ ВИСМУТА С ЭНЕРГИЕЙ 700 МЭВ	Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Во Куанг Нья; Красицкая, Ю. А.; Скуратов, В. А.; Боженков, В. В.
	2012	ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ ВИСМУТА С ЭНЕРГИЕЙ 700 МЭВ	Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Во Куанг Нья; Красицкая, Ю. А.; Скуратов, В. А.; Ластовский, С. Б.
	2013	Диэлектрические потери кремниевых диодов, облученных ионами висмута с энергией 700 МЭВ и ксенона с энергией 170 МЭВ	Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.
	2010	Индуктивность кремниевых диодов, облученных ионами криптона с энергией 250 МэВ	Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Соловьев, Я. А.; Скуратов, В. А.
	2014	Эквивалентные схемы замещения структуры металл (Al) – диэлектрик (Si3N4) – полупроводник (n-Si) в режимах сильной инверсии и обогащения	Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Бритько, П. С.; Цибулько, П. И.
	2019	Электрические потери в имплантированных ионами ксенона структурах Al/SiO2 /n-Si	Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Шпаковский, С. В.; Wieck, A.
	2007	Частотная зависимость реактивного импеданса облученных электронами р+n-переходов на кремнии	Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Куприк, В. С.; Ластовский, С. Б.; Wieck, А.
	2007	Новый метод определения времени жизни неосновных носителей заряда в базе диода с радиационными дефектами	Поклонский, Н. А.; Сягло, А. И.; Гардей, А. П.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Власов, А. Т.