Logo BSU

Search


Current filters:


Start a new search
Add filters:

Use filters to refine the search results.


Results 1-10 of 12 (Search time: 0.015 seconds).
Item hits:
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2016Электрические потери в гетероструктурах Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергиями 5 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Во Куанг, Нья; Меркулов, В. А.; Кирикович, М. К.; Скуратов, В. А.; Kukharchyk, N.; Becker, H.-W.; Wieck, A.
2001Индуктивная составляющая импеданса облученных электронами полупроводниковых барьерных структурПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.; Лапаник, А. В.
2017Электрическая емкость структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенона с энергиями 166 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Кирилкин, Н. С.; Кирикович, М. К.; Wieck, A.
2019Электрические потери в имплантированных ионами ксенона структурах Al/SiO2 /n-SiГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Шпаковский, С. В.; Wieck, A.
2019Оптические и электрические свойства облученных быстрыми реакторными нейтронами кристаллических природных и поликристаллических CVD алмазовКовалев, А. И.; Горбачук, Н. И.; Вырко, С. А.; Поклонский, Н. А.; Козлова, М. В.; Дравин, В. А.; Хомич, А. В.
2007Частотная зависимость реактивного импеданса облученных электронами р+n-переходов на кремнииПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Куприк, В. С.; Ластовский, С. Б.; Wieck, А.
2007Новый метод определения времени жизни неосновных носителей заряда в базе диода с радиационными дефектамиПоклонский, Н. А.; Сягло, А. И.; Гардей, А. П.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Власов, А. Т.
2003Температурная и частотная зависимости реактивных составляющих импеданса pn-переходов на кремнииПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.
2018Емкость в режиме сильной инверсии структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенонаПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Скуратов, В. А.; Wieck, A.
2003ЭПР облученных гамма-квантами монокристаллов синтетического алмазаПоклонский, Н. А.; Гусаков, Г. А.; Лапчук, Н. М.; Горбачук, Н. И.