Электронная библиотека БГУ: Поиск

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Поиск

Поиск:
запрос

Текущие фильтры:

Начать новый поиск

Добавить фильтры:

Результаты/Страница | Сортировать документы по В порядке Авторы/запись

Результаты 1-9 из 9.

назад
1
далее

Найденные документы:

Предварительный просмотр	Дата выпуска	Заглавие	Автор(ы)
	2012	ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЛУЧЕНИЯ (ТОБЛ = 320–580 К) БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ ФОРМИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ	Медведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Гусаков, В. Е.
	2017	Особенности отжига Е-центров (комплексов вакансия-фосфор) в облученных кристаллах кремния с различным примесно-дефектным составом	Медведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
	2003	Влияние предварительных термообработок при различных температурах на процессы радиационного дефектообразования в n-Cz-Si	Медведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Литвинко, А. Г.
	2016	Основные закономерности влияния температуры облучения и положения уровня Ферми на эффективность образования радиационных дефектов в кремнии n-типа	Медведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Гуринович, В. А.
	2001	Отжиг комплексов вакансия - фосфор в облученных кристаллах Si	Медведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
	2007	Образование и отжиг радиационных дефектов в кристаллах n-Si, содержащих медь	Медведева, И. Ф.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.
	2018	Влияние температуры облучения (Тобл = 80–700 К) быстрыми электронами и γ-квантами 60 Со на эффективность формирования радиационных дефектов в кремнии p-типа	Медведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Ластовский, С. Б.; Фадеева, Е. А.
	2008	Взаимодействие примесных атомов меди с радиационными дефектами в кремнии	Медведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Литвинко, А. Г.; Комаров, Б. А.
	2021	О природе водородосодержащего дефекта с уровнем Е(-/+) = Ес-0.075 эВ в облученном кремнии	Медведева, И. Ф.; Маркевич, В. П.; Фадеева, Е. А.; Мурин, Л. И.