Logo BSU

Search


Current filters:

Start a new search
Add filters:

Use filters to refine the search results.


Results 1-10 of 16 (Search time: 0.0 seconds).
Item hits:
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2016Локальные колебательные моды комплексов дивакансия – два атома кислорода и тривакансия – два атома кислорода в кремнииТолкачева, Е. А.; Мурин, Л. И.
2016Диффузионные характеристики кислородных димеров и комплексов вакансия – два атома кислорода в кремнии: данные ИК поглощенияМурин, Л. И.; Толкачева, Е. А.; Маркевич, В. П.
2016Основные закономерности влияния температуры облучения и положения уровня Ферми на эффективность образования радиационных дефектов в кремнии n-типаМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Гуринович, В. А.
2016Особенности отжига межузельных атомов углерода в кремнии р-типаЛастовский, С. Б.; Якушевич, А. С.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
2017Особенности отжига Е-центров (комплексов вакансия-фосфор) в облученных кристаллах кремния с различным примесно-дефектным составомМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
2014Локальные колебательные моды комплексов собственных междоузельных атомов с углеродом и кислородом в кремнииМурин, Л. И.
2014Калибровочный коэффициент для определения концентрации А-центров в Si методом ИК поглощенияМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Лукша, С. В.
2012ОСОБЕННОСТИ ОТЖИГА КОМПЛЕКСОВ BiOi В p-Si ПРИ ИНЖЕКЦИОННО-ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКЕЛастовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Гуринович, В. А.; Кульгачев, В. И.
2012ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЛУЧЕНИЯ (ТОБЛ = 320–580 К) БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ ФОРМИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Гусаков, В. Е.
2018Радиационно-индуцированное формирование кислородных тримеров в кремнии: данные ИК-поглощенияТолкачева, Е. А.; Мурин, Л. И.