Logo BSU

Search


Current filters:

Start a new search
Add filters:

Use filters to refine the search results.


Results 1-10 of 15 (Search time: 0.0 seconds).
Item hits:
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2001Отжиг комплексов вакансия - фосфор в облученных кристаллах SiМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
2016Диффузионные характеристики кислородных димеров и комплексов вакансия – два атома кислорода в кремнии: данные ИК поглощенияМурин, Л. И.; Толкачева, Е. А.; Маркевич, В. П.
2016Основные закономерности влияния температуры облучения и положения уровня Ферми на эффективность образования радиационных дефектов в кремнии n-типаМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Гуринович, В. А.
2016Особенности отжига межузельных атомов углерода в кремнии р-типаЛастовский, С. Б.; Якушевич, А. С.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
2017Особенности отжига Е-центров (комплексов вакансия-фосфор) в облученных кристаллах кремния с различным примесно-дефектным составомМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
2012ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЛУЧЕНИЯ (ТОБЛ = 320–580 К) БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ ФОРМИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Гусаков, В. Е.
2001Колебательные моды комплексов кислород-вакансия в германииЛитвинов, В. В.; Мурин, Л. И.; Линдстром, Дж. Л.; Маркевич, В. П.; Петух, А. Н.
2018Влияние температуры облучения (Тобл = 80–700 К) быстрыми электронами и γ-квантами 60 Со на эффективность формирования радиационных дефектов в кремнии p-типаМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Ластовский, С. Б.; Фадеева, Е. А.
2003Влияние предварительных термообработок при различных температурах на процессы радиационного дефектообразования в n-Cz-SiМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Литвинко, А. Г.
2008Электрически активные дефекты, содержащие вакансии и атомы кислорода в облученных кристаллах германияМаркевич, В. П.; Мурин, Л. И.; Литвинов, В. В.