Logo BSU

Поиск


Текущие фильтры:



Начать новый поиск
Добавить фильтры:

Используйте фильтры для уточнения результатов поиска.


Результаты 1-10 из 22.
Найденные документы:
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2012ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ ВИСМУТА С ЭНЕРГИЕЙ 700 МЭВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Во Куанг Нья; Красицкая, Ю. А.; Скуратов, В. А.; Ластовский, С. Б.
2012ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕЙ РАДИАЦИИ НА СУБМИКРОННЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫБогатырев, Ю. В.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Турцевич, А. С.; Шведов, С. В.; Белоус, А. И.
2012ТЕРМИЧЕСКАЯ УСТОЙЧИВОСТЬ ДЕФЕКТОВ МЕЖДОУЗЕЛЬНОГО ТИПА В КРЕМНИИ И КРЕМНИЙ-ГЕРМАНИЕВЫХ СПЛАВАХ, ЛЕГИРОВАННЫХ БОРОММакаренко, Л. Ф.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Абросимов, Н. В.
2012ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЛУЧЕНИЯ (ТОБЛ = 320–580 К) БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ ФОРМИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Гусаков, В. Е.
2014Инжекционный отжиг радиационно-индуцированного комплекса междоузельный бор-междоузельный кислород в кремниевых n+-p диодахЛастовский, С. Б.; Коршунов, Ф. П.; Якушевич, А. С.; Латушко, Я. И.; Макаренко, Л. Ф.
2014Исследование защитных свойств экранов на основе композита W-Cu для изделий электронной техники от протонов радиационных поясов ЗемлиЯкушевич, А. С.; Ластовский, С. Б.; Богатырев, Ю. В.; Грабчиков, С. С.; Василенков, Н. А.
2010Электронные свойства комплексов олово-вакансия в кристаллах германияЛитвинов, В. В.; Покотило, Ю. М.; Петух, А. Н.; Маркевич, В. П.; Ластовский, С. Б.; Хируненко, Л. И.
2010Радиационные эффекты в МОП/КНИ структурахКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Карась, В. И.; Малышев, В. С.; Сорока, С. А.; Шведов, С. В.
2010Барьер для миграции собственных междоузельных атомов в кремнии, легированном боромМакаренко, Л. Ф.; Молл, М.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.
2010Изменения параметров кремниевых p-n-структур, облученных быстрыми электронами при температурах 670-720 кКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Карась, В. И.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.