Logo BSU

Search


Current filters:

Start a new search
Add filters:

Use filters to refine the search results.


Results 1-9 of 9 (Search time: 0.0 seconds).
  • previous
  • 1
  • next
Item hits:
PreviewIssue DateTitleAuthor(s)
2016Особенности отжига межузельных атомов углерода в кремнии р-типаЛастовский, С. Б.; Якушевич, А. С.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
2012ОСОБЕННОСТИ ОТЖИГА КОМПЛЕКСОВ BiOi В p-Si ПРИ ИНЖЕКЦИОННО-ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКЕЛастовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Гуринович, В. А.; Кульгачев, В. И.
2012ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЛУЧЕНИЯ (ТОБЛ = 320–580 К) БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ ФОРМИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Гусаков, В. Е.
2018Влияние температуры облучения (Тобл = 80–700 К) быстрыми электронами и γ-квантами 60 Со на эффективность формирования радиационных дефектов в кремнии p-типаМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Ластовский, С. Б.; Фадеева, Е. А.
2008Влияние электронного облучения при 300 / 800 К на параметры кремниевых p-n-структурКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.; Шпаковский, С. В.
2007Влияние отжига радиационных дефектов на характеристики n+-р- структур на Si1-xGex:BКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Абросимов, Н. В.
2010Изменения параметров кремниевых p-n-структур, облученных быстрыми электронами при температурах 670-720 кКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Карась, В. И.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
2010Барьер для миграции собственных междоузельных атомов в кремнии, легированном боромМакаренко, Л. Ф.; Молл, М.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.
2011ХАРАКТЕРИСТИКИ МЕЖДОУЗЕЛЬНЫХ РЕАКЦИЙ В КРЕМНИИ И КРЕМНИЙ-ГЕРМАНИЕВЫХ СПЛАВАХ, ОБЛУЧЕННЫХ АЛЬФА-ЧАСТИЦАМИМакаренко, Л. Ф.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.