Электронная библиотека БГУ: Поиск

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Поиск

Поиск:
запрос

Текущие фильтры:

Начать новый поиск

Добавить фильтры:

Результаты/Страница | Сортировать документы по В порядке Авторы/запись

Результаты 21-30 из 110.

назад
1
2
3
4
5
6
...
11
далее

Найденные документы:

Предварительный просмотр	Дата выпуска	Заглавие	Автор(ы)
	2016	Моделирование шумовых характеристик субмикронного кремниевого диода со структурой n+-n-n+ многочастичным методом Монте-Карло	Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Кучинский, П. В.
	2016	Моделирование ВАХ субмикронного КНИ-МОП-транзистора с учетом процесса ударной ионизации	Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Дорожкин, Н. Н.
	2016	Формирование слоев полицида титана для интегральных микросхем с субмикронными проектными нормами	Наливайко, О. Ю.; Колос, В. В.; Турцевич, А. С.
	2016	Структура мезопористого кремния и ее геометрическая характеризация	Завацкий, С. А.; Бондаренко, В. П.
	2016	Разработка нового способа изготовления транзистора со статической индукцией	Лагунович, Н. Л.; Турцевич, А. С.; Борздов, В. М.
	2016	Влияние электромагнитных излучений различных частотных диапазонов на структуру воды – одного из основных технологических материалов микро- и наноэлектроники	Лукьяница, В. В.
	2016	Влияние примеси азота на закономерности формирования и термическую стабильность радиационных дефектов в монокристаллах синтетического алмаза	Гусаков, Г. А.; Мудрый, А. В.; Рогинец, Л. П.
	2016	Di-Interstitial-Oxygen Center in Silicon: Structure, Electronic Properties and Annealing Behavior	Markevich, V. P.; Gusakov, V. E.; Lastovskii, S. B.; Murin, L. I.
	2016	Новые аспекты ионной имплантации	Хайбуллин, Р. И.
	2016	Электрические потери в гетероструктурах Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергиями 5 МэВ	Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Во Куанг, Нья; Меркулов, В. А.; Кирикович, М. К.; Скуратов, В. А.; Kukharchyk, N.; Becker, H.-W.; Wieck, A.