Электронная библиотека БГУ: Поиск

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Поиск

Поиск:
запрос

Текущие фильтры:

Начать новый поиск

Добавить фильтры:

Результаты/Страница | Сортировать документы по В порядке Авторы/запись

Результаты 21-30 из 47.

Найденные документы:

Предварительный просмотр	Дата выпуска	Заглавие	Автор(ы)
	2019	Электрические потери в имплантированных ионами ксенона структурах Al/SiO2 /n-Si	Горбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Шпаковский, С. В.; Wieck, A.
	2020	Релятивистский электростатический потенциал вблизи углеродной нанотрубки со стационарным током	Поклонский, Н. А.; Галимский, И. А.; Вырко, С. А.; Власов, А. Т.; Хиеу, Н. Н.
	2020	Диэлектрические свойства стабилизированного иттрием диоксида циркония	Адамчук, Д. В.; Ксеневич, В, К.; Поклонский, Н. А.; Lyubchyk, A.; Macutkevic, J.; Banys, J.
	1999	Влияние электронного облучения на проводимость и емкость кремниевых плавных рп-переходов при 4,2*80 К	Ластовский, С. Б.; Гуринович, В. А.; Жданович, Н. Е.; Поклонский, Н. А.; Трощинский, В. Т.
	2003	ЭПР облученных гамма-квантами монокристаллов синтетического алмаза	Поклонский, Н. А.; Гусаков, Г. А.; Лапчук, Н. М.; Горбачук, Н. И.
	2003	Температурная и частотная зависимости реактивных составляющих импеданса pn-переходов на кремнии	Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.
	2016	Электрические потери в гетероструктурах Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергиями 5 МэВ	Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Во Куанг, Нья; Меркулов, В. А.; Кирикович, М. К.; Скуратов, В. А.; Kukharchyk, N.; Becker, H.-W.; Wieck, A.
	2016	Дифференциальная емкость полупроводникового диода с прыжковой проводимостью по радиационным дефектам	Поклонский, Н. А.; Ковалев, А. И.; Вырко, С. А.; Власов, А.Т.
	2001	Индуктивная составляющая импеданса облученных электронами полупроводниковых барьерных структур	Поклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.; Лапаник, А. В.
	2016	Электромагнитные отражатели на основе частотно-селективной поверхности для субметровых длин волн	Сягло, А. И.; Туан, Динь Ань; Кишкель, Н. В.; Широкий, Д. Н.; Поклонский, Н. А.