Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Поиск


Текущие фильтры:




Начать новый поиск
Добавить фильтры:

Используйте фильтры для уточнения результатов поиска.

 | 
Результаты 11-18 из 18.
Найденные документы:
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2007Частотная зависимость реактивного импеданса облученных электронами р+n-переходов на кремнииПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Куприк, В. С.; Ластовский, С. Б.; Wieck, А.
2008Импеданс кремниевых p+n-диодов в области микроплазменного пробояПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Филипеня, В. А.; Соловьев, Я. А.; Лacтoвcкий, С. Б.; Wieck, А.
2018Емкость в режиме сильной инверсии структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенонаПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Скуратов, В. А.; Wieck, A.
2007Новый метод определения времени жизни неосновных носителей заряда в базе диода с радиационными дефектамиПоклонский, Н. А.; Сягло, А. И.; Гардей, А. П.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.; Власов, А. Т.
2021Устройство для демонстрации электростатических полей в лекционном экспериментеГорбачук, Н. И.; Буров, Л. И.; Поклонский, Н. А.; Неверов, Д. С.; Шпаковский, С. В.
2015ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ СТРУКТУР Al/SiO2/n-Si, ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОНАМИ С ЭНЕРГИЕЙ 3.5 МэВПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Шпаковский, С. В.
2022Температурная стабильность заряда, накопленного в структурах Al/Si3N4/SiO2/SiГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В.
2023Спектроскопия DLTS структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелияГорбачук, Н. И.; Поклонский, Н. А.; Ермакова, Е. А.; Шпаковский, С. В.

Просмотр