Алюминий-кислородные комплексы в термообработанном кремнии

Abstract

The thermal-induced aluminium-contained donor defects (TDA) are studied by the Hall-effect and IR absorption measurement methods in silicon growed by Chochralski method. Information based on the calculation of the TDA electron structure executed by LCAO method and experimental results allowed to conclude that one aluminium and four oxygen atoms involved in the center composition. = Алюминийсодержащие донорные термодефекты (ТДА) в кремнии, выращенном по методу Чохральского, изучены методами измерения эффекта Холла и спектров ИК-поглощения. Данные по расчету электронной структуры центра, выполненные методом линейной комбинации атомных орбиталей, в совокупности с экспериментальными результатами позволили заключить, что в состав ТДА входят четыре атома кислорода и один атом алюминия.