Формирование квантоворазмерных структур на основе сплавов GеSn

Abstract

Using transmission electron microscopy and Rutherford backscattering the formation of Ge1–xSnx nanocrystals in SiGeSn/Si and GeSn/Si was investigated after the treatment in dry nitrogen or oxygen. The structures were deposited by molecular beam epitaxy on Si (001) wafers at 170 oC, followed by thermal treatment at 700÷1000 oC for 10÷180 min in dry nitrogen or oxygen. The Ge1–xSnx nanocrystals are of nanometer size and of lens-like or sphere-like faceted shape. = Методами просвечивающей электронной микроскопии и резерфордовского обратного рассеяния исследовано формирование нанокристаллов Ge1–xSnx в структурах SiGeSn/Si и GeSn/Si при термообработке в среде сухого азота и кислорода. Структуры осаждались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках с ориентацией (001) при температуре 170 °С и подвергались термообработке при 700÷1000 °С в течение 10÷180 мин в среде сухого азота или кислорода. Кристаллы Ge1–xSnx имеют нанометровые размеры и линзообразную или сферическую фасетированную форму.