Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников a3b5 в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; рук. Гребень, М. В.

Гребень, М. В.; Кривошеев, Р. М.; Гребень, Ю. В.

Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/50967

Полная запись метаданных

Поле DC	Значение	Язык
dc.contributor.author	Гребень, М. В.	-
dc.contributor.author	Кривошеев, Р. М.	-
dc.contributor.author	Гребень, Ю. В.	-
dc.date.accessioned	2013-11-06T08:36:31Z	-
dc.date.available	2013-11-06T08:36:31Z	-
dc.date.issued	2012	-
dc.identifier.other	№ госрегистрации 20121188	-
dc.identifier.uri	http://elib.bsu.by/handle/123456789/50967	-
dc.description.abstract	Объектом исследования являются ионноимплантированные пластины кремния и оксида кремния атомами III и V групп. Целью предлагаемого исследования является изучение различных режимов ионного синтеза нанокристаллов A3B5 полупроводников, а также разработка научных основ и физико-технологических режимов контролируемого формирования в кремнии слоев с высокой плотностью (1011–1012 см 2) квантовых точек полупроводников A3B5.	ru
dc.language.iso	ru	ru
dc.subject	ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика	ru
dc.title	Ионный синтез нанокристаллов узкозонных полупроводников a3b5 в кремниевой матрице для систем оптоэлектроники : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; рук. Гребень, М. В.	ru
dc.type	report	ru
Располагается в коллекциях:	Отчеты 2012

Полный текст документа:

Файл	Описание	Размер	Формат
Гребень 20121188.doc		2,97 MB	Microsoft Word	Открыть

Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar

Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.