Планаризация межуровневого диэлектрика с использованием жидкого стекла

Abstract

It is ascertained, that the liquid glass processing at the temperature of 230-240 °C and during the time span, not exceeding 20 minutes, results in the solvent expulsion from it, hydrolysis of the silicon organic components and formation of the Si-O-carcass with the organic silanolic branch chains, as well as with the thickness shrinkage of the formed film by 20 %. The further temperature rise up to 450°C ensures completion of the structure formation processes of the SOG-film, its densening, adhesion improvement to the below-located LTPSG, as well as stabilization of its pro-perties. It is demonstrated, that the planarization application of the interlayer dielectric by means of liquid glass ensures reduction of the height drop to 50 % from the initial value and the planarization angle constitutes not over 45 %. Meanwhile, the obtained parameters of the multi-level metalliza­tion completely comply with the requirements, imposed on them. Установлено, что обработка жидкого стекла при температуре 230-240 °С и времени, не превышающем 20 мин, приводит к удалению из него растворителя, гидролизу кремнийорганических составляющих и формированию Si-O-каркаса с органическими силанольными боковыми цепочками, а также усадке толщины формируемой пленки на 20 %. Повышение температуры до 450 °С обеспечивает завершение процессов формирования структуры SOG-пленки, ее уплотнения, улучшения адгезии к нижележащему слою НТФСС, а также стабилизации ее свойств. Показано, что использование планаризации межуровневого диэлектрика жидким стеклом обеспечивает уменьшение перепада высот до 50 % от исходной и угол планаризации не более 45°. При этом получаемые параметры многоуровневой металлизации полностью отвечают предъявляемым к ним требованиям.