Исследование особенностей транспорта заряда в полупроводниковых (Si) стабилизаторах напряжения

Abstract

Frequency and temperature dependencies of power spectral density of fluctuations of voltage caused by fluctuations of density of stream of carriers of charge in a range of frequencies 10 Hz -10 kHz have been explored. The 1/f dependence of values of fluctuations on frequency have been established. Two kinds of fluctuations have bееn revealed: superficially - diffusive and quantum-mechanical tunneling. Исследованы частотная и температурная зависимости спектральной плотности мощности флуктуации напряжения, обусловленные флуктуациями плотности потока заряда (транспорта заряда) в диапазоне частот 10 Гц ÷ 10 кГц. Установлена l/f-зависимость значений флуктуации от частоты. Выявлены два вида флуктуации: поверхностно-диффузионная и квантовомеханическое туннелирование, а также зависимость флуктуации напряжения от остаточных механических напряжений кристалла. Локализация источников флуктуации и уточнение их механизмов актуальны для реализации нанотехнологий.