Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/49100
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Komarov, F. F. | - |
dc.contributor.author | Parkhomenko, I. N. | - |
dc.contributor.author | Vlasukova, L. A. | - |
dc.date.accessioned | 2013-10-15T13:14:29Z | - |
dc.date.available | 2013-10-15T13:14:29Z | - |
dc.date.issued | 2013 | - |
dc.identifier.uri | http://elib.bsu.by/handle/123456789/49100 | - |
dc.description.abstract | Si-rich and N-rich silicon nitride films were deposited at low temperature 300 °C by using plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The optical and structural properties of these films have been investigated by ellipsometry, Rutherford backscattering (RBS), transmission electron microscopy (TEM), Raman spectroscopy (RS) and photoluminescence (PL). The formation of silicon clusters in both Si-rich and N-rich silicon nitride films after annealing at 900 °C and 1000 °C for hour in N2 ambient has been revealed by TEM. Dependency of PL spectra on stoichiometry and post-annealing temperature was analyzed. The contribution of Si and N-related defects in emitting properties of Si-rich and N-rich SiNx has been discussed. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.title | Annealing effects on photoluminescence of SiNX films grown by PECVD | ru |
dc.type | conference paper | ru |
Располагается в коллекциях: | 2013. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Komarov.pdf | 3,65 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.