Модификация мдп-структур сильнополевой инжекцией электронов и плазменной обработкой

Abstract

Проведено исследование режимов инжекционно-термической и плазменной обработки МДП-структур. Показано, что от- рицательный заряд, накапливающийся в плёнке ФСС в структурах с двухслойным подзатворным диэлектриком SiO2-ФСС в процессе сильнополевой туннельной инжекции электронов, может использоваться для модификации электрофизических характеристик МДП-приборов с такой структурой. Для повышения надежности и выявления образцов, содержащих зарядо- вые дефекты, предложено проводить инжекционно-термическую и/или плазменную обработку МДП-структур. Установлено, что проведение инжекционно-термической и плазменной обработки позволяет повысить инжекционную и радиационную стойкость диэлектрических пленок МДП-приборов за счет их модификации.