Влияние облучения протонами и нейтронами на электромагнитные свойства нитевидных кристаллов Si-Ge

Abstract

Изучено влияние облучения 6,8 МэВ протонами дозами до 1∙1017 р+/см2 и быстрыми нейтронами реактора дозой 8,6∙1017 н/см2 на электрические и магниторезистивные свойства нитевидных кристаллов Si1-xGex (х = 0,03) в интервале температур 4,2-300 К и магнитных полей до 14 Тл. Обнаружено значительное уменьшение сопротивления кристаллов в температурной области 4,2-40 К после облучения дозой 5∙1015 р+/см2 и незначительное изменение магнетосопротивления в магнитных полях 10-14 Тл, а также существенные изменения электрического и магнетосопротивления при облучении нейтронами и протонами дозой 1∙1017 р+/см2. Предложена интерпретация обнаруженных изменений физических параметров нитевидных кристаллов. Установлено, что существенное магнетосопротивление нитевидных кристаллов, облученных протонами, связано с магнетополевым уменьшением подвижности свободных носителей заряда (дырок). Причиной магнетосопротивления облученных нейтронами нитевидных кристаллов, кроме магнетополевого уменьшения подвижности, является также магнетополевое уменьшение концентрации свободных носителей заряда.