Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/48813
Заглавие документа: | Влияние облучения протонами и нейтронами на электромагнитные свойства нитевидных кристаллов Si-Ge |
Авторы: | Павловская, Н. Т. Литовченко, П. Г. Карпенко, А. Я. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2013 |
Аннотация: | Изучено влияние облучения 6,8 МэВ протонами дозами до 1∙1017 р+/см2 и быстрыми нейтронами реактора дозой 8,6∙1017 н/см2 на электрические и магниторезистивные свойства нитевидных кристаллов Si1-xGex (х = 0,03) в интервале температур 4,2-300 К и магнитных полей до 14 Тл. Обнаружено значительное уменьшение сопротивления кристаллов в температурной области 4,2-40 К после облучения дозой 5∙1015 р+/см2 и незначительное изменение магнетосопротивления в магнитных полях 10-14 Тл, а также существенные изменения электрического и магнетосопротивления при облучении нейтронами и протонами дозой 1∙1017 р+/см2. Предложена интерпретация обнаруженных изменений физических параметров нитевидных кристаллов. Установлено, что существенное магнетосопротивление нитевидных кристаллов, облученных протонами, связано с магнетополевым уменьшением подвижности свободных носителей заряда (дырок). Причиной магнетосопротивления облученных нейтронами нитевидных кристаллов, кроме магнетополевого уменьшения подвижности, является также магнетополевое уменьшение концентрации свободных носителей заряда. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/48813 |
Располагается в коллекциях: | 2013. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Павловская.pdf | 1,13 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.