Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/48809
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorМакаренко, Л. Ф.-
dc.contributor.authorПинтилие, И.-
dc.contributor.authorКоршунов, Ф. П.-
dc.date.accessioned2013-10-11T08:35:45Z-
dc.date.available2013-10-11T08:35:45Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/48809-
dc.description.abstractИзучено влияние инжекции неосновных носителей заряда на образование радиационных дефектов в Si и SiGe, легированных бором. Показано, что инжекция подавляет образование электрически активных борсодержащих комплексов при облучении альфа-частицами.ru
dc.language.isoruru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleОбразование и отжиг радиационных дефектов в кремниевых и кремний-германиевых структурах, облученных альфа-частицамиru
dc.typeconference paperru
Располагается в коллекциях:2013. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Макаренко.pdf300,17 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.