Влияние деформационных воздействий на эффект экранирования в монокристаллах n-Si с радиационными дефектами

Abstract

Исследовано пьезо-холл-эффект и пьезосопротивление монокристаллов n-Si для случая Х||J||[111] при разных температурах и дозах облучения. Качественный анализ соответствующих зависимостей показывает, что единственной причиной увеличения дрейфовой подвижности электронов с давлением выше 0,2 ГПа может быть только уменьшение радиуса экранирования из-за увеличения эффективной массы электронов. Данный эффект сильнее проявляется при низких температурах, когда роль междолинного рассеяния еще незначительна. Также само по себе уменьшение температуры ведет к уменьшению радиуса экранирования, что объясняет поведение кривых пьезосопротивления.