Определение состава твердых растворов GexSi1-x и энергии ионизации дефектов из данных спектроскопии комбинационного рассеяния света

Abstract

Методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней исследовалась корреляция оптических и электрофизических свойств твердых растворов GexSi1-x (х = 1 – 0.94). Показано, что смещение в область более малых значений частот фононов оптических колебаний Ge-Ge связей обу- словлено растягивающими напряжениями в решетке германия за счет внедрения более легких атомов кремния. Из величины смещения определено, что значение постоянной решетки в Ge 0,94 Si 0,06 на 0,17 % превышает таковое в чистом германии. Эта деформация решетки приводит к существенному увеличению энергии ионизации и сечения за- хвата радиационных дефектов.