Определение концентрации примеси и дрейфовой скорости электронов в высоколегированном короткоканальном nМОП-транзисторе

Abstract

The approximation of the highdopant MOSFET current-voltage characteristic before saturation is offered in the case, when there is discrepancy of the drain current saturation voltage in range 0-2ϕf and effective gate voltage. This method allows to calculate drain current, impurity concentration, drift velocity and current saturation voltage in case when constructive technological parameters of the device are given. Account of the drain voltage dependence of the effective mobility is not necessary in this approximation. = Рассмотрена ВАХ высоколегированного nМОП-транзистора в режиме выхода в насыщение, когда имеет место заметное различие между напряжением на стоке и эффективным напряжением затвора. Это позволяет определить ток стока, концентрацию примесных атомов, дрейфовую скорость электронов и напряжение насыщения тока при заданных конструктивно-технологических параметрах прибора.