Сенсибилизация фотоэлектрохимических процессов в наногетероструктурах In2O3/CdS

Abstract

Обнаружен эффект спектральной сенсибилизации фотоэлектрохимических процессов на нанокристаллических мезопористых In2O3-электродах при осаждении на их поверхность наночастиц CdS методом послойной ионной адсорбции катионов металла и халькогенид-анионов. Эффект сенсибилизации проявляется в длинноволновом смещении края спектральной чувствительности электрохимической системы на 100–150 нм. Потенциал начала протекания сенсибилизированного фототока наногетероструктуры In2O3/CdS определяется энергетическим положением края зоны проводимости оксида, управлять которым можно посредством термообработкB In2O3. Увеличение температуры прогрева оксидной матрицы от 200 до 400 °С приводит к смещению потенциала начала фототока для наногетероструктуры In2O3/CdS приблизительно на 500 мВ в область более положительных значений, а также к росту фототока на порядок.