Люминесцирующие пленки оксид-CuI

Abstract

Regardless of the type of used oxide matrix (GeO2, ZrO2, HfO2 / 5 ат. % Y, Al2O3) luminescence in the range 550÷850 nm for all oxide-CuI films (with λex = 370 nm) with λmax = 720 nm was observed. Heating the films in argon or in vacuum proved to be effective for increasing the luminescence intensity. The obtained results allow to consider the oxide-CuI films as a possible light transformer for silicon solar cells. This will provide the improvement of their efficiency as a result of re-radiation of UV-light in the visible region corresponding to the region of maximum spectral sensitivity of silicon solar cells. = Исследованы спектрально-люминесцентные свойства пленок оксид-CuI в зависимости от химической природы оксидной матрицы и условий их термообработки. Показано, что люминесценция пленок оксид-CuI в области с λмакс = 720 нм возбуждается в широкой спектральной области менее 410 нм. Исходные пленки, независимо от природы оксида, характеризуются слабой люминесценцией при λмакс = 420 нм и 720 нм при λвозб = 370 нм. Термообработка пленок оксид-CuI в аргоне и/или в вакууме при 300 °С способствует значительному (на порядок) увеличению интенсивности люминесценции в области с λмакс = 720 нм и практически ее снижению до нуля при λмакс = 420 нм. Предположительно это связано с переносом энергии возбуждения из зоны проводимости микрокристаллов CuI на образующиеся на их поверхности в результате термообработки дефекты – кислородные вакансии, ответственные за люминесценцию в области 720 нм.