Расчет вольт-амперных характеристик симметричных двухбарьерных резонансно-туннельных структур на основе арсенида галлия с учетом процессов разрушения когерентности электронных волн в квантовой яме

Abstract

Предложен подход к учету влияния процессов разрушения когерентности электронных волн в квантовой яме симметричных двухбарьерных резонансно-туннельных структур на основе арсенида галлия на их вольт-амперные характеристики. В качестве основных причин, ответственных за рузрушение когерентности, рассматривались процессы рассеяния электронов на полярных оптических фононах, ионизированных примесных центрах и шероховатостях поверхностей в квантовой яме, а также тепловые флуктуации энергии частиц. Рассчитаны вольт-амперные характеристики симметричной двухбарьерной резонансно-туннельной структуры на основе арсенида галлия для трехмерного, двумерного и одномерного электронного газа, находящегося в ее эмиттере и коллекторе при различных температурах.