Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Факультет радиофизики и компьютерных технологий
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФАКУЛЬТЕТА РАДИОФИЗИКИ И КОМПЬЮТЕРНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ
  4. Статьи сотрудников факультета радиофизики и компьютерных технологий
  5. Кафедра физики и аэрокосмических технологий. Статьи
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/341465
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorУшаков, Д.В.-
dc.contributor.authorСадофьев, Ю.Г.-
dc.contributor.authorСамаль, М.-
dc.date.accessioned2026-02-10T14:20:27Z-
dc.date.available2026-02-10T14:20:27Z-
dc.date.issued2011-
dc.identifier.citationПолупроводниковые лазеры и системы на их основе : 8-й Беларусско-Российский семинар : сборник статей, Минск, 17–20 мая 2011 года / редакторы: В. З. Зубелевич, В. К. Кононенко, Г. П. Яблонский. – Минск: Институт физики им. Б.И. Степанова НАН Беларуси, 2011. –С. 73-76.ru
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/341465-
dc.description.abstractПредложена конструкция ККЛ на основе Al0.02Ga0.98As(GaAs)–Al0.15Ga0.85As с двумя КЯ и встроенной узкой КЯ внутри широкой КЯ, позволяющая ввести дополнительные степени вободы для продвижения в область меньших частот ТГц-диапазона. В структуру широкой КЯ Al0.02Ga0.98As встроена узкая КЯ GaAs. Максимум коэффициента усиления получен на частоте ∼ 2.3 ТГц. Варьирование положением узкой КЯ позволяет управлять матричным элементом дипольных переходов для рабочих уровней 3–2.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherИнститут физики им. Б.И. Степанова НАН Беларусиru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехникаru
dc.titleСпектры терагерцового усиления квантово-каскадных структур с двумя квантовыми ямами на основе Al 0.15 Ga 0.85 As/Al 0.02 Ga 0.98 As(GaAs)/Al 0.15 Ga 0.85 Asru
dc.title.alternativeTerahertz gain spectra of the quantum-cascade structures with two quantum wells based on Al 0.15 Ga 0.85 As/Al 0.02 Ga 0.98 As(GaAs)/Al 0.15 Ga 0.85 Asru
dc.typeconference paperru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
dc.description.alternativeQCL design based on Al0.02Ga0.98As(GaAs)–Al0.15Ga0.85As with two QW and built-in narrow quantum wells in the wide QW is proposed, which allows to introduce additional degrees of freedom to move to lower terahertz frequencies. Narrow GaAs QW is built in the structure of the wide Al0.02Ga0.98As QW. Maximum gain is obtained at a frequency of ∼ 2.3 THz. Varying the position of the narrow QW allows to control the matrix element of dipole transitions for the working levels 3–2.ru
Располагается в коллекциях:Кафедра физики и аэрокосмических технологий. Статьи

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Ушаков1 .pdf391,54 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.