Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/341451Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Васьков, О.С. | - |
| dc.contributor.author | Кононенко, В.К. | - |
| dc.contributor.author | Нисс, В.С. | - |
| dc.contributor.author | Закгейм, А.Л. | - |
| dc.contributor.author | Черняков, А.Е. | - |
| dc.date.accessioned | 2026-02-10T11:45:33Z | - |
| dc.date.available | 2026-02-10T11:45:33Z | - |
| dc.date.issued | 2015 | - |
| dc.identifier.citation | Полупроводниковые лазеры и системы на их основе : Сборник статей, Минск, 26 мая 2015 года. – Минск: Ковчег, 2015. –С. 136-139. | ru |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/341451 | - |
| dc.description.abstract | Проведен анализ профиля теплового сопротивления мощных светоизлучающих диодов (СИД) типа Сгее XPE-HEW. Методом тепловой релаксационной дифференциальной спектрометрии ТРДС) определены компоненты теплового сопротивления и другие тепловые параметры СИД, установлена их зависимость от структуры и конфигурации СИД, найдены активная площадь и ее изменение при распространении теплового потока вдоль сечения излучателей. Для конфигураций данного типа обнаружено явление “бутылочного горлышка", существующее в области границ раздела слоев СИД. и установлено изменение теплового сопротивления с током возбуждения диодов. | ru |
| dc.language.iso | ru | ru |
| dc.publisher | Ковчег | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | ru |
| dc.title | Параметры и характеристики мощных светодиодов типа Сгее ХРЕ HEW | ru |
| dc.title.alternative | Parameters and Characteristics of Powerful Light-Emitting Diodes Types Cree XPE-HEW | ru |
| dc.type | conference paper | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| dc.description.alternative | The analysis of the profile of thermal resistance of powerful light-emitting diodes (LEDs) type Cree XPE-HEW is approved. Thermal relaxation method of differential spectrometry (TRDS) is used for identifications of LED components of thermal resistance and other thermal parameters of LEDs, their dependence on the structure and configuration of the LED is obtained, the active area and its modification at redistribution of heat flow along the section of the emitters is found. For this type of LED configuration the phenomenon of "bottleneck" occurs, which exists within the boundaries of layers of the LED, and the change of the thermal resistance with current excitation of the diodes is examined. | ru |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра квантовой радиофизики и оптоэлектроники. Статьи | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Васьков.pdf | 281,39 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.