Спектральные особенности фотоиндуцированного поглощения и записи динамических решеток в кристаллах силиката висмута

Abstract

Одной из характерных особенностей фоторефрактивных кристаллов является существование многочисленных примесных и дефектных центров, имеющих различную природу возникновения и активно участвующих в процессах перераспределения носителей заряда. Исследуемый в данной работе кристалл силиката висмута относится к семейству силленитов и является широкозонным полупроводником с многочисленными донорными и акцепторными энергетическими уровнями в запрещенной зоне. При освещении кристаллов семейства силленитов в них происходит перераспределение носителей заряда по долгоживущим (секунды, часы) и короткоживущим ловушечным уровням (микро – и миллисекунды), характеристики и механизм проявления которых определяются интенсивностью и длиной волны падающего излучения.