Расчет спектральных характеристик квантово-каскадных лазерных структур с учетом несимметричных контуров уширения линии излучения

Abstract

Квантово-каскадные структуры служат основой полупроводниковых излучателей и фотоприемников среднего и дальнего ИК-диапазона [1]. Они относятся к униполярным периодическим системам, в которых оптические переходы и элсктропсрснос осуществляются через состояния в минизонах [2]. Формы полос испускания и фоточувствитсльности в таких структурах определяются главным образом уширснисм спектральных линий и их наложением. В настоящей работе рассмотрены разнообразные несимметричные контуры уширсния линий излучения в квантово-каскадных структурах на свсрхрсшстках и оценено их влияние на форму спектров усиления и спонтанной рекомбинации. Сравнение рассчитанных спектров испускания с наблюдаемыми спектрами электролюминесценции выполнено для гстсроструктур в системе AllnAs-GalnAs.