Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/340571Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Злоцкий, С. В. | |
| dc.contributor.author | Углов, В. В. | |
| dc.contributor.author | О’Коннелл, Ж. | |
| dc.contributor.author | Скуратов, В. А. | |
| dc.contributor.author | Червяков, А. С. | |
| dc.date.accessioned | 2026-01-22T14:40:05Z | - |
| dc.date.available | 2026-01-22T14:40:05Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 16-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 22-25 сент. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 244-247. | |
| dc.identifier.issn | 2663-9939 (print) | |
| dc.identifier.issn | 2706-9060 (online) | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/340571 | - |
| dc.description | Секция 3. Влияние излучений на структуру и свойства материалов = Section 3. Radiation Influence on the Structure and Properties of Materials | |
| dc.description.abstract | Методом просвечивающей электронной микроскопии исследованы особенности изменения микроструктуры пленок Si3N4 и многослойных пленок ZrN/SiNx, нанесенных методом магнетронного распыления, после облучения ионами Xe (360 кэВ и 5 x 10 16 см-2). В аморфной пленке SiNx, облученной ионами Xe, было обнаружено множество крупных и мелких пузырьков. Выявлено накопление имплантированного ксенона (образование крупных пузырьков) на глубине, соответствующей максимальному радиационному повреждению. В случае многослойной пленки было обнаружено, что границы кристаллических слоев ZrN-аморфный SiNx вблизи диапазона имплантации были размыты в зоне максимального энерговыделения имплантированных ионов. В аморфных слоях SiNx можно увидеть небольшие пузырьки, расположенные в середине слоя | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Микроструктура пленок ZrN/SiNx, облученных ионами ксенона | |
| dc.title.alternative | Microstructure of ZrN/SiNx Films Irradiated with Xenon Ions / Zlotski S.V., Uglov V.V., O'Connell J., Skuratov V.A., Chervyakov A.S. | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | The transmission electron microscopy method was used to study the features of the change in the microstructure of Si3N4 films and multilayer ZrN/SiNx films deposited by magnetron sputtering after irradiation with Xe ions (360 keV and 5 x 10 16 cm-2). In SiNx amorphous film, irradiated by Xe ions, a lot of large and small bubbles were found. The accumulation of implanted xenon (formation of large bubbles) at the depth corresponding to maximum radiation damage was revealed. In the case of multilayered film, it was found that the boundaries of crystalline ZrN-amorphous SiNx layers close to the implantation range have been smeared in zone of the maximum energy release for implanted ions. Small bubbles can be seen in SiNx amorphous layers while they are located in the middle of the layer | |
| Располагается в коллекциях: | 2025. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 244-247.pdf | 150,14 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.