Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/340545Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Одринский, А. П. | |
| dc.contributor.author | Макаренко, Л. Ф. | |
| dc.date.accessioned | 2026-01-22T14:39:59Z | - |
| dc.date.available | 2026-01-22T14:39:59Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 16-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 22-25 сент. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 172-174. | |
| dc.identifier.issn | 2663-9939 (print) | |
| dc.identifier.issn | 2706-9060 (online) | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/340545 | - |
| dc.description | Секция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in Solids | |
| dc.description.abstract | Облучение полупроводниковых приборов высокоэнергетическими частицами часто используется для модификации их характеристик. Развитие различных экспериментальных методик диагностики дефектного состава в облученных кремниевых структурах, является актуальной задачей полупроводникового материаловедения. Для получения информации о дефектах в облученном кремнии мы впервые использовали изменение с температурой релаксации вентильной фото-эдс. Обнаружено пять дефектов с энергией термоактивации 0.08, 0.16, 0.28, 0.37 и 0.40 eV и эффективным сечением захвата 9.5x10-20, 2x10-14, 5.8x10-13, 5.2x10-15, 1.8x10-13 cm2, соответственно. Проведено сравнение с данными нестационарной спектроскопии глубоких уровней | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Исследование радиациионных дефектов в кремнии, облученном быстрыми электронами | |
| dc.title.alternative | Studing Radiation Defects in Fast Electrons Irradiated Silicon / Odrinsky Andrei, Makarenko Leonid | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Now the radiating treatment of semi-conductor structures effectively is used for modification them of deep-level defects set. Development of experimental techniques for diagnostics of changes in structure of defects under the radioactive influence on silicon is an actual task of semi-conductor material science. For obtained the information about defects in irradiated silicon we for the first time used change with temperature of a relaxation of photo-emf of barrier. Five defects with activation energies 0.08, 0.16, 0.28, 0.37 и 0.40 eV and effective capture cross-sections 9.5x10-20, 2x10-14, 5.8x10-13, 5.2x10-15, 1.8x10-13 cm2 accordingly were observed. Their identification is carried out also | |
| Располагается в коллекциях: | 2025. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 172-174.pdf | 141,37 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.