Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
  2. Физический факультет
  3. НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
  4. Сборники научных статей и материалы конференций физического факультета
  5. Взаимодействие излучений с твердым телом
  6. 2025. Взаимодействие излучений с твердым телом
Даты публикации Авторы Заглавия Темы
Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/340541
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorНикольская, А. А.
dc.contributor.authorКоролев, Д. С.
dc.contributor.authorМатюнина, К. С.
dc.contributor.authorТрушин, В. Н.
dc.contributor.authorДроздов, М. Н.
dc.contributor.authorЮнин, П. А.
dc.contributor.authorРевин, А. А.
dc.contributor.authorКонаков, А. А.
dc.contributor.authorСтепанов, А. В.
dc.contributor.authorТетельбаум, Д. И.
dc.date.accessioned2026-01-22T14:39:58Z-
dc.date.available2026-01-22T14:39:58Z-
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом : материалы 16-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 22-25 сент. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 160-162.
dc.identifier.issn2663-9939 (print)
dc.identifier.issn2706-9060 (online)
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/340541-
dc.descriptionСекция 2. Радиационные эффекты в твердом теле = Section 2. Radiation Effects in Solids
dc.description.abstractОксид галлия - это сверхширокозонный полупроводник перспективный для электроники больших мощностей, а также для оптических приборов, работающих в УФ диапазоне. Однако, физические и физико-химические основы ионной имплантации еще мало разработаны для этого "нового" материала. В работе рассмотрены свойства монокристаллов оксида галлия, подвергнутых имплантации ионов серы с разной дозой до и после постимплантационного высокотемпературного отжига. Под воздействием имплантации серы в облученном слое обнаружен фазовый переход из термодинамически стабильной бэта-фазы в метастабильную гамма-фазу, которая не обнаруживается при повышении дозы ионов и высокотемператрном отжиге. В облученном слое наблюдается перераспределение примеси серы - ее "подтягивание" в область максимума дефектов даже в отсутствие отжига, а после него наблюдается раздвоение профиля распределения атомов серы. Теоретические расчеты, проведенные для ячейки оксида галлия с атомом серы, показали перспективность использования легирования серой для преодоления фундаментальной причины отсутствия p-типа проводимости в оксиде галлия
dc.description.sponsorshipИсследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда № 23-79­00052, https://rscf.ru/project/23-79-00052/.
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleВлияние имплантации ионов серы на структуру и свойства монокристаллов оксида галлия
dc.title.alternativeEffect of Sulfur Ion Implantation on the Structure and Properties of Gallium Oxide Monocrystals / Nikolskaya A.A., Korolev D.S., Matyunina K.S., Trushin V.N., Drozdov M.N., Yunin P.A., Revin A.A., Konakov A.A., Stepanov A.V., Tetelbaum D.I.
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeGallium oxide is an ultra-wide-bandgap semiconductor promising for high-power electronics and optical devices operating in the UV range. However, the physical and physicochemical foundation of ion implantation have not yet been studied for this "new" material. The paper considers the properties of gallium oxide single crystals subjected to sulfur ion implantation with different fluences before and after post-implantation high-temperature annealing. Under the influence of sulfur implantation, a phase transition from the thermodynamically stable beta phase to the metastable gamma phase was detected in the irradiated layer, which is not detected with an increase in the ion fluence and high-temperature annealing. Redistribution of sulfur impurity is observed in the irradiated layer - its "pulling" into the region of maximum defects even in the absence of annealing, and after it, a bi-modal distribution profile of the sulfur atom is observed. Theoretical calculations performed for a gallium oxide cell with a sulfur atom have shown the potential of using sulfur doping to overcome the fundamental reason for the absence of p-type conductivity in gallium oxide
Располагается в коллекциях:2025. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
160-162.pdf114,58 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.