Токоперенос в гетероструктуре пленка углеродных нанотрубок на кремнии при облучении ИК-излучением

Abstract

В данной работе представлены результаты компьютерного моделирования в программном пакете Comsol Multiphysics переноса заряда и протекания тока в гетероструктуре пленка одностенных углеродных нанотрубок (ОУНТ) n-типа проводимости толщиной 20 нм на кремниевой подложке n-типа проводимости под воздействием электромагнитного излучения мощностью 1 мВт в диапазоне длин волн λ от 750 до 1400 нм. В процессе моделирования было учтено наличие ловушек носителей заряда в объеме и на поверхности пленки, а также на границе раздела полупроводников, представляющих слой оксида кремния, формирующегося на поверхности кремниевой подложки. В результате моделирования было установлено, что в диапазоне длин волн 750-1100 нм ток протекал в направлении от поверхности пленки ОУНТ к основанию кремниевой подложки, а в диапазоне λ=1125-1400 нм, а также при отсутствии излучения, от основания подложки к поверхности пленки ОУНТ. Полученные результаты могут поспособствовать разработке фотодетекторов в ближнем ИК-диапазоне