Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/340488Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Бринкевич, Д. И. | |
| dc.contributor.author | Просолович, В. С. | |
| dc.contributor.author | Зубова, О. А. | |
| dc.contributor.author | Вабищевич, С. А. | |
| dc.contributor.author | Вабищевич, Н. В. | |
| dc.date.accessioned | 2026-01-22T14:39:49Z | - |
| dc.date.available | 2026-01-22T14:39:49Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 16-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 22-25 сент. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 468-471. | |
| dc.identifier.issn | 2663-9939 (print) | |
| dc.identifier.issn | 2706-9060 (online) | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/340488 | - |
| dc.description | Секция 5. Методы, оборудование, плазменные и радиационные технологии = Section 5. Methods, Equipment, Plasma and Radiation Technologies | |
| dc.description.abstract | Методом индентирования исследованы пленки негативных фоторезистов (ФР) производства MicroChemicals Gmbh (Германия) и Kempur Microelectronics (Китай), нанесенные на поверхность пластин кремния методом центрифугирования. Пленки AZ nLOF 5510 обладают высокой адгезией к кремнию; растрескивания или отслаивания пленок от кремниевой подложки не было замечено. Ионное травление приводит охрупчиванию и увеличению микротвердости на 50 % этих пленок. У пленок серии AZ nLOF 20ХХ наблюдалось растрескивание в процессе индентирования. Коэффициент вязкости разрушения К1С (трещиностойкость) пленок этой серии варьировался в пределах 3.1 - 3.8 МПа⋅м1/2 и слабо возрастал после ионного травления. Ионное травление приводило к резкому (до 20 раз) снижению значений удельной энергии отслаивания G пленок AZ nLOF 20ХХ. Микротвердость пленок этой серии находилась в пределах 0.1-0.2 ГПа и увеличивалась после ионного травления, что обусловлено сшиванием молекул фоторезиста. Прочностные свойства пленок KMP E3502 схожи со свойствами ФР серии AZ nLOF 20ХХ. Экспериментальные данные объяснены с учетом сшивания молекул и конформационных изменений в структуре основного компонента ФР при ионном травлении; ориентацией молекул вблизи границы раздела ФР/Si и наличием в пленках остаточного растворителя | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Модификация при ионном травлении прочностных свойств пленок негативных фоторезистов на кремнии | |
| dc.title.alternative | Modification with Ionic Etching of Strength Properties of Negative Photoresists Films on Silicon / Brinkevich D.I., Prosolovich V.S., Zubova O.A., Vabishchevich S.A., Vabishchevich N.V. | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Films with a thickness of 0.9 - 6.0 microns of negative photoresists AZ nLOF 2020, AZ nLOF 2070 and AZ nLOF 5510 (MicroChemicals Gmbh, Germany) and KMP E3502 (Kempur Microelectronics, China) deposited on the surface of silicon wafers by centrifugation were studied by indentation method. It was experimentally established that the indentation behavior of AZ nLOF 5510 and AZ nLOF 20XX series photoresists (PR) differs dramatically. AZ nLOF 5510 films have high adhesion to silicon; no cracking or peeling of the films from the silicon substrate has been observed. Ion etching leads to fragility and an increase in microhardness by 50% of these films. In the films of the AZ n LOF 20XX series, cracking was observed during the indentation process. The viscosity coefficient of destruction K1C (crack resistance) of the films of this series ranged from 3.1 - 3.8 MPa⋅m1/2 and increased slightly after ion etching. Ion etching leads to a sharp (up to 20 times) reduction in the values of the specific energy of peeling G of AZ nLOF 20XX films. The microhardness of the films of this series was in the range of 0.1 - 0.2 GPa and increased after ion etching, due to the crosslinking of photoresist molecules. The strength properties of the KMP E3502 films are similar to those of the PR series AZ nLOF 20XX. The experimental data are explained by taking into account the crosslinking of PR molecules and conformational changes in the structure of the main component of PR during ion etching; the orientation of molecules near the PR/Si interface and the presence of a residual solvent in the films | |
| Располагается в коллекциях: | 2025. Взаимодействие излучений с твердым телом | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 468-471.pdf | 125,29 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.