Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/340483
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorХужаниёзов, Ж. Б.
dc.contributor.authorТашмухамедова, Д. А.
dc.contributor.authorЮсупжонова, М. Б.
dc.contributor.authorУраков, А. Н.
dc.contributor.authorХужаниязова, А. У.
dc.contributor.authorУмирзаков, Б. Е.
dc.date.accessioned2026-01-22T14:39:48Z-
dc.date.available2026-01-22T14:39:48Z-
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом : материалы 16-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 22-25 сент. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 449-451.
dc.identifier.issn2663-9939 (print)
dc.identifier.issn2706-9060 (online)
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/340483-
dc.descriptionСекция 4. Наноматериалы: формирование и свойства при воздействии излучений = Section 4. Nanomaterials: Formation and Properties under the Influence of Radiation
dc.description.abstractМетодами ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии, спектроскопии поглощения (прохождения) света исследовано влияние имплантации ионов Cd+ и последующего отжига на электронную структуру монокристаллического ZnTe (111). Показано, что при бомбардировке ионами Cd+ с Е0 = 1 кэВ при дозе насыщения Dn = (6-8)⋅10 16 см-2 происходит полное разупорядочение ионно-легированных слоев и металлизация поверхности. Дальнейший прогрев при Т = 850 К приводит к формированию однородной сплошной пленки Zn0.5Cd0.5Te с толщиной 30-35 А
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleВлияние имплантации ионов Cd+ на электронную структуру монокристаллического ZnTe
dc.title.alternativeEffect of Cd+ Ion Implantation on the Electronic Structure of Monocrystalline ZnTe / Khujaniyozov Jumanazar, Tashmukhamedova Dilnoza, Yusupjanova Maxsuna, Urakov Azim, Xujaniyazova Aziza, Umirzakov Baltohodja
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe influence of Cd+ ion implantation and subsequent annealing on the electronic structure of single-crystal ZnTe (111) was studied using ultraviolet photoelectron spectroscopy and light absorption (transmission) spectroscopy. It was shown that bombardment with Cd+ ions with E0 = 1 keV at a saturation dose of Dsat = (6-8)⋅10 16 cm-2 resulted in complete disordering of the ion-doped layers and metallization of the surface. Further heating at T = 850 K resulted in the formation of a homogeneous continuous Zn0.5Cd0.5Te film with a thickness of 30-35 А
Располагается в коллекциях:2025. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
449-451.pdf111,77 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.