Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/340473
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorПавликов, А. В.
dc.contributor.authorЖелезняк, А. А.
dc.contributor.authorРогов, А. М.
dc.contributor.authorСтепанов, А. Л.
dc.date.accessioned2026-01-22T14:39:47Z-
dc.date.available2026-01-22T14:39:47Z-
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationВзаимодействие излучений с твердым телом : материалы 16-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 22-25 сент. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2025. – С. 417-419.
dc.identifier.issn2663-9939 (print)
dc.identifier.issn2706-9060 (online)
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/340473-
dc.descriptionСекция 4. Наноматериалы: формирование и свойства при воздействии излучений = Section 4. Nanomaterials: Formation and Properties under the Influence of Radiation
dc.description.abstractНанопористые слои Ge, сформированные методом имплантации ионов In+ с энергией E=30 кэВ и дозами D от 1.8⋅10 16 до 7.5⋅10 16 ион/см2, исследовались методами растровой электронной микроскопии и комбинационного рассеяния света (КРС). Полученные микрофотографии позволили оценить морфологию и пористость слоев. На основании данных КРС установлено, что полученные наноструктуры являются аморфными. Возбуждение КРС лазером с интенсивностью более 1500 Вт/см2 приводит к нагреву и последующей локальной кристаллизации облученных областей. По результатам КРС исследований оценена объемная доля кристаллической фазы, которая оказалась максимальной для образца с D = 5.6⋅10 16 ион/см2, что коррелирует с оценкой пористости
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.titleОпределение доли кристаллической фазы в нанопористых слоях германия, сформированных имплантацией ионов индия
dc.title.alternativeDetermination of the Crystalline Volume Fraction in Nanoporous Germanium Layers Formed by Implantation with Indium Ions / Pavlikov Alexander V., Zhelezniak Anna A., Rogov Alexey M., Stepanov Andrey L.
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeNanoporous Ge layers formed by implantation of In+ ions with the energy E=30 keV, at the current density in the ion beam J=5 µA/cm2. and doses D from 1.8⋅10 16 to 7.5⋅10 16 ion/cm2 with the ion accelerator ILU-3, were studied by the methods of scanning electron microscopy (SEM) and Raman scattering (RS). The obtained SEM micrographs allowed us to establish the morphology of the nanoporous layers, which turned out to be a spongy structure consisting of intertwined nanowires. Quantitative estimates of the nanowire diameters were carried out and the dependences of the change in their diameters on the ion D were plotted. Based on the Raman scattering data carried out at low laser intensities, it was found that the porous Ge structures obtained in the process of ion implantation are amorphous. Excitation of Raman scattering by a laser with an intensity of more than 1500 W/cm2 leads to heating and subsequent local crystallization of the irradiated areas. For each sample, the spectra were decomposed into crystalline and amorphous components. The fraction of the crystalline phase was calculated for each value of the laser radiation intensity. The volume fraction of the crystalline phase was maximum for the sample with D = 5.6⋅10 16 ion/cm2, which correlates with the porosity estimate from SEM data
Располагается в коллекциях:2025. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
417-419.pdf126,1 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.