Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/339607Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Bosak, N. A. | - |
| dc.contributor.author | Shpak, P. V. | - |
| dc.contributor.author | Chumakov, A. N. | - |
| dc.contributor.author | Baran, L. V. | - |
| dc.contributor.author | Malutina-Bronskaya, V. V. | - |
| dc.contributor.author | Drobush, V. S. | - |
| dc.contributor.author | Kuzmitskaya, A. S. | - |
| dc.date.accessioned | 2026-01-07T10:53:04Z | - |
| dc.date.available | 2026-01-07T10:53:04Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | - |
| dc.identifier.citation | Journal of Applied Spectroscopy. — 2025. — Vol. 92, № 4. — P. 743-748. | ru |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/339607 | - |
| dc.description.abstract | Results are given for a complex study of thin Nb2O5 fi lms deposited in vacuum (p = 2.2 Pa) on quartz and silicon substrates using multi-pulse high-frequency laser action (f ~ 10–12 kHz) on a ceramic target with laser power density q = 81 MW/cm2. The morphology of these fi lms was studied using atomic force microscopy. Features of the transmission spectra were presented. The photoelectrical properties of the Nb2O5/Si structure were analyzed. | ru |
| dc.language.iso | en | ru |
| dc.publisher | Springer | ru |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/restrictedAccess | ru |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
| dc.title | Surface Morphology, Optical Characteristics and Electrophysical Properties of Nb2O5 Films | ru |
| dc.type | article | ru |
| dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
| dc.identifier.DOI | 10.1007/s10812-025-01967-1 | - |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики твердого тела и нанотехнологий (статьи) | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| JPS-3_Baran.pdf | 816,07 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.