Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/337713Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Ювченко, В. Н. | |
| dc.contributor.author | Мискевич, С. А. | |
| dc.contributor.author | Комаров, Ф. Ф. | |
| dc.date.accessioned | 2025-11-26T12:42:57Z | - |
| dc.date.available | 2025-11-26T12:42:57Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Квантовая электроника : материалы XV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–20 нояб. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. А. Афоненко (гл. ред.), М. М. Кугейко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2025. – С. 278-282. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-861-6 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/337713 | - |
| dc.description.abstract | Предложена модель одиночного сбоя в 6-транзисторной ячейке памяти SRAM при попадании в ее элемент высокоэнергетического иона. Рассчитана величина критического заряда, необходимого для наступления сбоя, и время наступления сбоя после пролета иона для ячеек, состоящих из 14 нм FinFET транзисторов и классических 350 нм МОП-транзисторов. Проанализирована вероятность наступления сбоя при попадании ионов различных масс и энергий в стоковую область p-МОП транзистора | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | |
| dc.title | Моделирование одиночного сбоя в 6-транзисторной SRAM-ячейке при высокоэнергетическом ионном облучении | |
| dc.title.alternative | Single-event upset simulation for 6-transistor SRAM cell irradiated with high energy ions / V. N. Yuvchenko, S. A. Miskiewicz, F. F. Komarov | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | A single-event upset (SEU) model is proposed for a 6-transistor SRAM memory cell impacted by a high-energy ion. The critical charge required for the upset to occur and upset time after the ion's passage are calculated for the cells consisting of 14 nm FinFET transistors and planar 350 nm MOSFETs. The probability of SEU occurring when ions of various masses and energies hit the drain region of a p-MOS transistor is analyzed | |
| Располагается в коллекциях: | 2025. Квантовая электроника | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 278-282.pdf | 1,7 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.