Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/337708Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Мищенко, В. Н. | |
| dc.date.accessioned | 2025-11-26T12:42:56Z | - |
| dc.date.available | 2025-11-26T12:42:56Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Квантовая электроника : материалы XV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–20 нояб. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. А. Афоненко (гл. ред.), М. М. Кугейко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2025. – С. 262-265. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-861-6 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/337708 | - |
| dc.description.abstract | С использованием метода Монте-Карло выполнено моделирование выходных характеристик гетероструктурных приборов, содержащих графен и его модификации. Получены основные характеристики таких приборов – зависимости выходного тока стока, коэффициента усиления от величины постоянного напряжения на затворе. Показана перспективность использования гетероструктурных приборов с использованием графена в конструкциях полупроводниковых приборов и устройств высокочастотных диапазонов | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | |
| dc.title | Моделирование выходных характеристик гетероструктурных приборов с использованием графена и его модификаций | |
| dc.title.alternative | Modeling of output characteristics of heterostructure devices using graphene and its modifications / V. N. Mishchanka | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Using the Monte Carlo method, the simulation of the output characteristics of heterostructure devices using graphene and its modifications was performed. The main characteristics of such devices were obtained - the dependences of the output drain current, the gain on the value of the constant voltage on the gate. The prospects of using heterostructure devices using graphene in the designs of high-frequency semiconductor devices are shown | |
| Располагается в коллекциях: | 2025. Квантовая электроника | |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 262-265.pdf | 1,59 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.

