Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/337708
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorМищенко, В. Н.
dc.date.accessioned2025-11-26T12:42:56Z-
dc.date.available2025-11-26T12:42:56Z-
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationКвантовая электроника : материалы XV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–20 нояб. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. А. Афоненко (гл. ред.), М. М. Кугейко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2025. – С. 262-265.
dc.identifier.isbn978-985-881-861-6
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/337708-
dc.description.abstractС использованием метода Монте-Карло выполнено моделирование выходных характеристик гетероструктурных приборов, содержащих графен и его модификации. Получены основные характеристики таких приборов – зависимости выходного тока стока, коэффициента усиления от величины постоянного напряжения на затворе. Показана перспективность использования гетероструктурных приборов с использованием графена в конструкциях полупроводниковых приборов и устройств высокочастотных диапазонов
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
dc.titleМоделирование выходных характеристик гетероструктурных приборов с использованием графена и его модификаций
dc.title.alternativeModeling of output characteristics of heterostructure devices using graphene and its modifications / V. N. Mishchanka
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeUsing the Monte Carlo method, the simulation of the output characteristics of heterostructure devices using graphene and its modifications was performed. The main characteristics of such devices were obtained - the dependences of the output drain current, the gain on the value of the constant voltage on the gate. The prospects of using heterostructure devices using graphene in the designs of high-frequency semiconductor devices are shown
Располагается в коллекциях:2025. Квантовая электроника

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
262-265.pdf1,59 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.