Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/337694Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Крыжановская, Н. В. | |
| dc.contributor.author | Моисеев, Э. И. | |
| dc.contributor.author | Комаров, С. Д. | |
| dc.contributor.author | Иванов, К. А. | |
| dc.contributor.author | Цацульников, А. Ф. | |
| dc.contributor.author | Луценко, Е. В. | |
| dc.contributor.author | Войнилович, А. Г. | |
| dc.contributor.author | Сахаров, А. В. | |
| dc.contributor.author | Артеев, Д. С. | |
| dc.contributor.author | Николаев, А. Е. | |
| dc.contributor.author | Заварин, Е. Е. | |
| dc.contributor.author | Масютин, Д. А. | |
| dc.contributor.author | Пивоварова, А. А. | |
| dc.contributor.author | Ильинская, Н. Д. | |
| dc.contributor.author | Смирнова, И. П. | |
| dc.contributor.author | Марков, Л. К. | |
| dc.contributor.author | Жуков, А. Е. | |
| dc.date.accessioned | 2025-11-26T12:42:53Z | - |
| dc.date.available | 2025-11-26T12:42:53Z | - |
| dc.date.issued | 2025 | |
| dc.identifier.citation | Квантовая электроника : материалы XV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–20 нояб. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. А. Афоненко (гл. ред.), М. М. Кугейко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2025. – С. 216-220. | |
| dc.identifier.isbn | 978-985-881-861-6 | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/337694 | - |
| dc.description.abstract | Созданы микродисковые и микрокольцевые лазеры с использованием InGaN/GaN/AlGaN эпитаксиальной полупроводниковой структуры на подложке кремния. При оптической накачке в импульсном режиме продемонстрирована лазерная генерация в микролазерах диаметром 5–8 мкм, работающих на модах шепчущей галереи. Получена генерация от комнатной температуры до 100 градусов Цельсия вблизи 420 нм, с высокой температурной стабильностью длины волны излучения, которая описывается коэффициентом dλ/dT = 0,0115 нм/К | |
| dc.description.sponsorship | Статья подготовлена в ходе проведения исследования в рамках проекта «Международное академическое сотрудничество» НИУ ВШЭ. Оптические измерения проводились на уникальной научной установке «Комплексный оптоэлектронный стенд» НИУ ВШЭ- Санкт-Петербург. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.publisher | Минск : БГУ | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | |
| dc.title | Лазерная генерация в дисковых и кольцевых микрорезонаторах InGaN/GaN/AlGaN на кремнии | |
| dc.title.alternative | Lasing in disk and ring InGaN/GaN/AlGaN microcavities on silicon / N. V. Kryzhanovskaya, E. I. Moiseev, S .D. Komarov, K. A. Ivanov, A. F. Tsatsul’nikov, E. V. Lutsenko, A. G. Vainilovich, A. V. Sakharov, D. S. Arteyev, A. E. Nikolaev, E. E. Zavarin, D. A. Masyutin, A. A. Pivovarova, N. D. Ilyinskaya, I. P. Smirnova, L. K. Markov, A. E. Zhukov | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.description.alternative | Microdisk and microring lasers have been developed using an InGaN/GaN/AlGaN epitaxial semiconductor structure grown on a silicon substrate. Lasing has been demonstrated in microlasers with diameters of 5–8 μm, operating on whispering gallery modes under pulsed optical pumping. Lasing has been achieved from room temperature to 100 degrees Celsius, with high temperature stability of the emission wavelength near 420 nm, described by the coefficient dλ/dT = 0.0115 nm/K | |
| Располагается в коллекциях: | 2025. Квантовая электроника | |
Полный текст документа:
| Файл | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|
| 216-220.pdf | 1,81 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.