Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/337684
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЗамковец, А. Д.
dc.contributor.authorБаран, Л. В.
dc.contributor.authorКузьмицкая, А. С.
dc.contributor.authorМалютина-Бронская, В. В.
dc.contributor.authorФролов, И. Ю.
dc.date.accessioned2025-11-26T12:42:51Z-
dc.date.available2025-11-26T12:42:51Z-
dc.date.issued2025
dc.identifier.citationКвантовая электроника : материалы XV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 18–20 нояб. 2025 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: А. А. Афоненко (гл. ред.), М. М. Кугейко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2025. – С. 175-178.
dc.identifier.isbn978-985-881-861-6
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/337684-
dc.description.abstractИсследованы спектры зеркального отражения и фотоэлектрические характеристики плотноупакованных наноструктур серебра со средним диаметром частиц d ~ 100 нм, контактирующих с подложками из монокристаллического кремния p-типа. Образцы получены методом электронно-лучевого осаждения и последующего отжига при температуре 90 °C
dc.language.isoru
dc.publisherМинск : БГУ
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника
dc.titleОптические и фотоэлектрические свойства плотноупакованных наноструктур серебра на подложках из кремния
dc.title.alternativeOptical and photoelectric properties of close-packed silver nanostructures on silicon substrates / A. D. Zamkovets, L. V. Baran, A. S. Kuz'mitskaya, V. V. Malyutina-Bronskaya, I. Yu. Frolov
dc.typeconference paper
dc.description.alternativeThe specular reflectance spectra and photovoltaic characteristics of close-packed silver nanostructures with an average particle diameter of d ~ 100 nm in contact with single-crystal silicon substrates were studied. The samples were fabricated using electron-beam deposition with subsequent annealing at a temperature of 90 °C
Располагается в коллекциях:2025. Квантовая электроника

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
175-178.pdf1,69 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.