Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/335541
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Лукашевич, Михаил Григорьевич | - |
dc.contributor.author | Сидоренко, Юлия Владимировна | - |
dc.date.accessioned | 2025-10-07T13:44:26Z | - |
dc.date.available | 2025-10-07T13:44:26Z | - |
dc.date.issued | 2025-06-27 | - |
dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/335541 | - |
dc.description | Дисциплина изучается в 5 семестре. В соответствии с учебным планом всего на изучение учебной дисциплины отведено: - для очной формы получения высшего образования - 108 часов, в том числе 54 аудиторных часа, из них: лекции - 54 часа. Из них: лекции - 46 часов, управляемая самостоятельная работа (УСР) - 8 часов. Трудоемкость учебной дисциплины составляет 3 зачетные единицы. Форма промежуточной аттестации - экзамен. | ru |
dc.description.abstract | Цель данной учебной дисциплины - формирование базовых знаний в области структурных, фононных и электронных свойств полупроводников, ознакомление с основами зонной теории и физики фононных и электронных состояний и процессов в полупроводниковых материалах. В процессе освоения студентами учебной дисциплины будут рассмотрены следующие вопросы: - особенности кристаллической структуры полупроводников и колебательного спектра кристаллической решетки; - основные теоретические модели описания тепловых свойствах кристаллов; - основные представления о зонной структуре энергетического спектра носителей заряда в полупроводниках; - физические основы влияния внешних электрического и магнитного полей на электронные состояния и процессы в полупроводниках; - особенности электрических, магнитных, гальваномагнитных, оптических и магнитооптических свойств полупроводников, обусловленных особенностями их зонной структуры; - основные области применения полупроводников материалов и уровень современного состояния научных исследований в области полупроводникового материаловедения, электронных состояний и процессов в полупроводниках и разработки полупроводниковых приборов. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | БГУ, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники | ru |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/restrictedAccess | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Приборостроение | ru |
dc.title | Основы зонной теории полупроводников: учебная программа УВО по учебной дисциплине для специальности 6-05-0533-02 Прикладная физика. Профилизация: Физика полупроводников и наноэлектроника. № УД-3199/б. | ru |
dc.type | syllabus | ru |
dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Основы зонной теории полупроводников_5 семестр_Лукашевич_Сидоренко.pdf | 8,12 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.