Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/335541
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorЛукашевич, Михаил Григорьевич-
dc.contributor.authorСидоренко, Юлия Владимировна-
dc.date.accessioned2025-10-07T13:44:26Z-
dc.date.available2025-10-07T13:44:26Z-
dc.date.issued2025-06-27-
dc.identifier.urihttps://elib.bsu.by/handle/123456789/335541-
dc.descriptionДисциплина изучается в 5 семестре. В соответствии с учебным планом всего на изучение учебной дисциплины отведено: - для очной формы получения высшего образования - 108 часов, в том числе 54 аудиторных часа, из них: лекции - 54 часа. Из них: лекции - 46 часов, управляемая самостоятельная работа (УСР) - 8 часов. Трудоемкость учебной дисциплины составляет 3 зачетные единицы. Форма промежуточной аттестации - экзамен.ru
dc.description.abstractЦель данной учебной дисциплины - формирование базовых знаний в области структурных, фононных и электронных свойств полупроводников, ознакомление с основами зонной теории и физики фононных и электронных состояний и процессов в полупроводниковых материалах. В процессе освоения студентами учебной дисциплины будут рассмотрены следующие вопросы: - особенности кристаллической структуры полупроводников и колебательного спектра кристаллической решетки; - основные теоретические модели описания тепловых свойствах кристаллов; - основные представления о зонной структуре энергетического спектра носителей заряда в полупроводниках; - физические основы влияния внешних электрического и магнитного полей на электронные состояния и процессы в полупроводниках; - особенности электрических, магнитных, гальваномагнитных, оптических и магнитооптических свойств полупроводников, обусловленных особенностями их зонной структуры; - основные области применения полупроводников материалов и уровень современного состояния научных исследований в области полупроводникового материаловедения, электронных состояний и процессов в полупроводниках и разработки полупроводниковых приборов.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherБГУ, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроникиru
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/restrictedAccessru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехникаru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Приборостроениеru
dc.titleОсновы зонной теории полупроводников: учебная программа УВО по учебной дисциплине для специальности 6-05-0533-02 Прикладная физика. Профилизация: Физика полупроводников и наноэлектроника. № УД-3199/б.ru
dc.typesyllabusru
dc.rights.licenseCC BY 4.0ru
Располагается в коллекциях:Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Основы зонной теории полупроводников_5 семестр_Лукашевич_Сидоренко.pdf8,12 MBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.