Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/32834| Title: | Формирование и свойства нанокластеров GESN в слоях Si и SIO2. |
| Authors: | Прокопьев, С. Л. Гайдук, П. И. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Issue Date: | 2006 |
| Publisher: | Академия управления при Президенте Республики Беларусь |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/32834 |
| ISBN: | 985-457-667-1 |
| Appears in Collections: | 2006. Квантовая электроника |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 154-157P.Pdf | 508,83 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.