Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/32793
Полная запись метаданных
Поле DCЗначениеЯзык
dc.contributor.authorИвлев, Г. Д.-
dc.contributor.authorГацкевич, Е. И.-
dc.date.accessioned2013-02-18T09:10:03Z-
dc.date.available2013-02-18T09:10:03Z-
dc.date.issued2006-
dc.identifier.isbn985-457-667-1-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/32793-
dc.language.isoruru
dc.publisherАкадемия управления при Президенте Республики Беларусьru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехникаru
dc.titleМодифицирование гетероструктуры a-Ge/Si воздействием импульсного лазерного излученияru
Располагается в коллекциях:2006. Квантовая электроника

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
page_148.pdf158,72 kBAdobe PDFОткрыть
Показать базовое описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.